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中国首台光刻机成功了吗(中国首台光刻机芯片研制成功)

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本文目录一览

1、留给台积电的时间不多了!首台中端光刻机投产,14亿人翘首以待

2、中国光刻机

留给台积电的时间不多了!首台中端光刻机投产,14亿人翘首以待

众所周知,美国总是在处处对中国企业华为设限,以防止威胁到自己的 科技 霸主地位。最主要的是禁止美国企业向华为兜售芯片,意图切断华为的芯片供应链。 华为5G的出现,打破了近百年来欧美国家垄断通讯行业核心技术的局面。作为世界 科技 老大哥的美国,能不着急吗?虽然华为率先推出了5G技术,但是因为美国的阴险狡诈,切断芯片供应链。导致中国的5G技术就仿佛空中阁楼,没有扎实的地基。 中国的 科技 发展,再一次被别人掐着脖子做实验。但是中国已不再是过去的中国,这样的日子必须得到改变。为此,中国国家科学院电子研究所与清华、复旦、同济等21所高校展开合作,夜以继日地搞科研,决心做出自己国家的光刻机。有了光刻机,中国人就能制造属于自己的芯片,不用再大量的从外面购买。 我国国产首台中端光刻机投产 功夫不负有心人。我国终于成功制造出了首台中端光刻机,并且已经投入到生产之前的检测和认证阶段,只要检测通过,相信不久的将来,该光刻机就能投入使用,为我国半导体下游企业输送国产芯片。 该消息一出,立马引起了国内外媒体的关注以及14亿国人翘首以待。因为这表示,芯片制造行业要重新洗牌。 中国人拥有了属于自己的国产中端光刻机,芯片自主化不再是一句口号。作为目前市场占有率最高的企业——台积电,现在应该也感到了一丝不安。这台光刻机的研发成功,对中国的意义远远超过我们的想象。 之前说起芯片,人们第一时间想起的是英特尔。当年这个牌子广告,也陪伴了一代人的成长。其实对于中国人来说,我们还有一个不为人熟知的芯片,那就是龙芯。龙芯从成立到发展的20年,也恰恰是中国半导体行业和通讯行业蓬勃发展的20年。 在刚刚创立龙芯时,国人都不看好。认为做芯片是个费力不讨好的事情,前期投入巨大的时间、人力、财力,而且还不一定成功。但是龙芯发展到今天,在美国人对中国通讯行业进行封锁时,龙芯能够站出来为中国企业挺一把。这也让老百姓认识到一个严重的事实:中国必须实现芯片自主化,打造自己的芯片生产供应链。 将来芯片行业将有什么变化? 其实芯片的投入和回报是成正比的。芯片行业是一切工业的基础。任何高 科技 产品离开芯片,都没办法存活。不管云端技术做得有多好,硬件不行,一样歇菜。所以华为既然已经能够拥有5G技术,中国就一定要为华为争一口气,不能让自家的企业在国外到处碰壁,无法进一步发展。 但是中国发展自己的芯片,并不仅仅为了华为。中国有自己的完整工业链,而芯片的作用能够波及互联网、制造业、智能工业、重工业等等。可能对于发达的资本主义国家来说,第三产业在其 社会 占比中占大头,但是对于中国这样的发展中国家来说,工业始终是命脉。 目前世界上正在进行第四次工业革命,这一次,中国能够挤进波浪中翻涌。而在早前,德国就发布了工业4.0转型升级计划。 德国的率先发布,引起了全世界瞩目。所有国家都在谋求自己能够从第四次工业革命中脱颖而出。未来的工业一定是和智能分不开的。那么智能的基础就是芯片。如果没有芯片,何谈工业革命? 华为投资光刻机 值得一提的是,近日,华为又有了新的动作。通过天眼查显示,北京科益虹源光电技术有限公司,新增股东哈勃 科技 投资有限公司,而哈勃投资的实际控股人则是华为。那么华为为何要投资北京科益虹源光电技术有限公司呢?该公司的自然法人还包括中国科学院微电子研究所,说明这是一家由科研机构牵头的以生产光刻光源的公司。 光刻光源又是一部光刻机的核心零部件,所以由此可以看出华为正在向半导体上游行业进军。之前华为被美国卡着脖子,此举也是众多华为对抗美国的手段之一。如果没有关键芯片来连接5G,那么5G技术也无法支撑。过去,我们的芯片严重依赖进口。每年都要花费几十个亿在芯片上,而且是美国动不动就翻脸不认人,不论从何种角度出发,华为乃是中国一定要实现芯片自主化,自产自供自销。 此次中端光刻机落地,未来一定会在大大增加我国国产芯片的产量。国产芯片的缺口一旦被填补上,我们再也不要过分依赖于进口。当然 我们目前只能实现基本芯片自主化,未来还有很长一段路要走。

中国光刻机

中国光刻机历程

1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机;1970年代,中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺;清华大学研制第四代分部式投影光刻机,并在1980年获得成功,光刻精度达到3微米,接近国际主流水平。而那时,光刻机巨头ASML还没诞生。

然而,中国在1980年代放弃电子工业,导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制,卖副食品去了。

1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。

1970年代,中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。

1972年,武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。

1977年,我国最早的光刻机GK-3型半自动光刻机诞生,这是一台接触式光刻机。

1978年,1445所在GK-3的基础上开发了GK-4,但还是没有摆脱接触式光刻机。

1980年,清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功,光刻精度达到3微米,接近国际主流水平。

1981年,中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。

1982年,科学院109厂的KHA-75-1光刻机,这些光刻机在当时的水平均不低,最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。

1985年,机电部45所研制出了分步光刻机样机,通过电子部技术鉴定,认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机,中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。

但是很可惜,光刻机研发至此为止,中国开始大规模引进外资,有了"造不如买”科技无国界的思想。光刻技术和产业化,停滞不前。放弃电子工业的自主攻关,诸如光刻机等科技计划被迫取消。

九十年代以来,光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年,这个技术非常关键,这直接导致ASML如此强势的关键。直到二十一世纪,中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目,足足落后ASML20多年。


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