超高效48V模块是半导体公司为数据中心开发的最新客户产品。
加利福尼亚州Golita，2020年3月17日-(亚太商业新闻)-Transphorm Inc是设计和制造最高可靠性产品的领先公司，它开发了第一个符合JEDEC-和AEC-Q101标准的高压氮化镓(GaN)功率半导体元件。目前，杭州中恒电气有限公司(HZZH)已经开发出基于GaN的超高效功率模块。3kW ZHR483KS采用Transphorm的GaN器件，效率达到98%，是目前为止电信行业效率最高的GaN驱动模块。原始设计制造商(ODM)可以将提供标准化输出连接器配置的ZHR483KS与现有的相同电源模块进行交换，从而以较低的整体系统成本实现高可靠性和高性能的解决方案。
设定行业基准
ZHR483KS是hzh首款基于GaN的电源解决方案，也是新产品线中的主导产品。该模块的输入电压范围从85伏到264伏，而其输出电压范围从42伏到58伏。Transphorm的TPH3205WS-GaN器件用于交错式无桥图腾PFC，实现98%的半负载效率。GaN器件降低了功率模块的开关损耗和驱动损耗，因此ZHR483KS的性能优于之前使用超结硅MOSFET的模块。
hzh首席技术官郭博士表示：“我们正在寻找一种功率晶体管，以帮助我们为客户开发更高效、更具成本效益的解决方案。我们考虑过碳化硅器件，但是在低电压下无法达到预期的优势。然后，我们查看了几家GaN厂商的器件，最后，考虑到可靠性、器件成本和实现简单，我们选择了Transphorm的GaN场效应晶体管(FET)。”
Transphorm的GaNFET是一种双芯片增强型场效应晶体管，可以采用标准的TO-XXX封装，由常见的现成驱动器驱动。当前的Gen III系列提供了GaN半导体行业中最高的阈值电压(4V)和最高的栅极鲁棒性(20V)。因此，客户可以轻松设计高度可靠的GaN解决方案，以实现该技术的高功率密度优势。
Transphorm亚洲销售副总裁Kenny Yim表示：“Transphorm在开发每一代GaN平台时都考虑了四个关键因素：可靠性、可驱动性、可设计性和可重复性。hzh认为，我们的客户需要这四个因素来打破市场，所以我们很自豪地选择我们作为他们的GaN合作伙伴。正是由于这种合作，我们的GaN被设计成各种多千瓦的电力系统，创造了行业纪录。我们预计，随着未来我们在产品方面的持续合作，hzh将继续创新。”
ZHR483KS目前正在生产。
标签：GaN功率模块