晶体管8050和8550、c8050、c8550、s 8050、s8550的参数。
关键词：三极管参数
图1 8050和8550三极管TO-92封装外形及引脚排列图2 8050和8550三极管SOT-23封装外形及引脚排列8050和8550三极管在电路应用中经常作为一对晶体管使用，当然也经常作为单个晶体管使用。8050是硅NPN三极管；8550是由硅制成的PNP晶体管。8050S8550S8050S8550参数：耗散功率0.625W(贴片：0.3W)集电极电流0.5A集电极-基极电压40V集电极-发射极击穿电压25V特征频率fT最小150MHZ典型厂家目录未给出，按晶体管后缀编号分为B C D档，贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 d160-300 L 100-200 h200-350 C 80集电极电流1.5A集电极-基极电压40V集电极-发射极击穿电压25V特征频率fT最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀数分为四级放大倍数B:85-160 c:120-200d:160-300 D3:300-400。引脚上有两种SS8050 SS8550基准电压源。数：耗散功率：1W(TA=25) 2W(TC=25)集电极电流1.5A集电极-基极电压40V集电极-发射极击穿电压25V特征频率fT最小100MHZ放大倍数：根据三极管后缀数分为三级，放大倍数B: 85-160c: 120-200d: 160-300。S8050 S8550的引脚排列是EBC8050S 855。0S管脚排列有ECB管的稀有参数：耗散功率1W，集电极电流0.7A，集电极-基极电压30V，集电极-发射极击穿电压20V，特征频率fT最小100MHZ，典型厂家的目录没有给出放大倍数：按照三极管C的后缀数分为C D E档：120-200d: 160-300e: 8050最大集电极电流(A)280-400 NEC。DC增益：10比60；功耗：625 mW最大集电极-发射极电压(VCEO):25；频率：150兆赫。其他8050PE8050硅NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050硅NPN 25V 1.5A FT=190 * K2SC8050硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，更换相应的8050或8550晶体管时，除了型号