单晶硅又称硅单晶，是电子信息材料中最基础的材料，属于半导体材料。单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底和太阳能电池。
单晶硅晶片是通过一系列工艺从单晶硅棒上切割下来的。单晶硅的制备方法有直拉法、区熔法和外延法，其中直拉法和区熔法用于制备单晶硅棒。熔融硅单晶的最大需求来自功率半导体器件。
直拉法：简称CZ法。CZ法的特点是总结在直管热系统中，用石墨电阻加热，将高纯应时坩埚中的多晶硅熔化，然后将籽晶插入熔体表面进行焊接。同时旋转籽晶，然后反转坩埚，慢慢向上提拉籽晶。经过引晶、放大、转肩、等径生长、修整等过程，得到单晶硅。
区熔法：是一种利用多晶锭在不同区域熔化并结晶半导体晶体的方法。利用热能在半导体棒的一端产生熔化区，然后焊接单晶籽晶。调节温度使熔化区慢慢向棒的另一端移动，穿过整个棒，生长成与籽晶同晶向的单晶。区熔可分为水平区熔和垂直悬浮区熔两种。前者主要用于锗、GaAs等材料的提纯和单晶生长。在后者中，在大气或真空炉室中，使用高频线圈在单晶籽晶和悬挂在其上方的多晶硅棒之间的接触处产生熔化区，然后熔化区向上移动用于单晶生长。由于硅熔体完全靠其表面张力和高频电磁力支撑，悬浮在多晶棒和单晶之间，故称浮区熔炼法。
工艺流程：
直拉法加工工艺：加料熔化缩口生长肩部生长等径生长尾部生长。将生长的晶体棒提升到上炉室并冷却一段时间，然后取出，从而完成生长周期。
悬浮区熔加工工艺：首先用夹具从上下轴垂直精确固定棒状多晶锭。通过电子轰击、高频感应或光学聚焦使一个区域熔化，使液体受到表面张力的支撑而不下落。移动样品或加热器来移动熔化区。该方法不使用坩埚，可避免坩埚污染，因此可制备纯单晶，也可用于区熔。
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标签：单晶区籽晶