本文目录
- 场效应管8N60C的参数及代换分别是什么
- 场效应管23N50，能有28N50代替吗
- 场效应管的代换规则是什么呢
- 电磁炉场效应管TGAN20N135D坏用什么场效应管代
- HP210NO6场效应管用什么型号代替
- sp8595场效应管的代换
- 场效应管IRFP460可用什么型号的代替
- FQPF5N60C电源场效应管可以用什么代替
- 场效应管nce8295a的型号能用HY1908代替吗
- 电视电源用的场效应管7N60用什么代换
场效应管8N60C的参数及代换分别是什么
场效应管8N60C的参数是：10A，600V，可以用SSS7N60B，T2SK2545(2SK3562)，IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。
场效应管代换只需大小相同，分清N沟道P沟道即可，功率大的可以代换功率小的，一般情况下都用同样型号的进行代换，避免其他的问题。
扩展资料
场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
场效应管23N50，能有28N50代替吗
①、关于以上【23N50场效应管，属于N沟道场效应管，其参数是∥耐压：500V∥电流：23A】。②、关于以上那【28N50场效应管，属于N沟道场效应管，其参数是∥耐压：500V∥电流：28A】。③、向以上两款场效应管28N50完全可以代换23N50场效应管。《反之不行》
场效应管的代换规则是什么呢
在主板上，场效应管的代换规则是: 1、场效应管的代换只需大小相同，分清N沟道和P沟道即可。 2、场效应管的代换中，功率大的场效应管可以代换功率小的场效应管。 3、场效应管的代换中，技嘉主板的场管最好原值代换。
电磁炉场效应管TGAN20N135D坏用什么场效应管代
电磁炉功率管场效应管TGAN20N135D坏了的代换：该型号场效应管的主要参数：它是N沟场效应管Ic＝20ABVce＝1350v最大功率80w以上。该型号的场效应管代换原则，是只能用等于或大于它的参数的同类型号的场效应管代换。可以代替的型号：F25T135FD 、GT25Q101、IRFPH40k、lRFPH20M／30M和HF7757等型号的场效应管代替。
HP210NO6场效应管用什么型号代替
HA210N06可以用DG210N06代换，两种场效应管参数完全一样。
HA210N06 是逆变器专用大场管 ，主要参数是210A/ 60V。
也可以用TFP290N08代换，主要参数是 290A 80V ，TO247 封装，也是逆变器常用大功率场效应管。
也可以用更大参数的MXP8835AL 代换，主要参数是350A/80V 。
IRFP4368 也是大功率逆变器MOS管 ，主要参数是350A/75V。
sp8595场效应管的代换
定性判断MOS型场效应管的好坏，定性判断结型场效应管的电极。场效应管代换原则与好坏判断详解，先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。场效应管代换原则，将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。
场效应管IRFP460可用什么型号的代替
直接用TSA20N50代换，我修过若干北京豪沃尔集中电源都是用这个型号代换好了的，是厂家技术员告诉我的，不过还有BAT12 600B或BAT20 600B,还有整流桥和旁边的22欧姆贴片电阻也容易损坏需要一起更换
FQPF5N60C电源场效应管可以用什么代替
FQPF5N60C电源场效应管可以代换的型号如下：
5N60、K3115、K2141、K2545、K3878、K2645、7N60B、10N60。
FQPF5N60C场效应管参数：600V 4.5A 33W .
外形封装图即电路图符号如图：
场效应管nce8295a的型号能用HY1908代替吗
两种型号场效应管参数相差不多，勉强可以代换，如果是管子单独使用，可以临时代换。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
电视电源用的场效应管7N60用什么代换
电视电源用的场效应管7N60可以用FCP7N60 FCPF7N60 SSP7N60 SMP7N60 SS7N60代换，
7N60是 场效应管，其参数为N沟 600V 7A 83W，因体积小，性能稳定，功率较大，不易发烫，常用于电视机的电源部分，