光刻是在掩模上转移几何图案的过程。它是覆盖在表面的一薄层对辐射敏感的材料(称为抗辐射剂)，它也是一种半导体晶片。图5.1简要说明了集成电路制造的光刻工艺。如图5.1(b)所示，辐射通过掩模的透明部分传播，使得曝光的光致抗蚀剂不溶于显影液，从而将掩模图案直接转移到晶片。在定义图案之后，需要通过蚀刻工艺选择性地去除屏蔽部分的基础层。光刻曝光的性能由三个参数决定：分辨率、配准和产量。分辨率定义：半导体晶片上的薄膜。配准是衡量其准确性的一个指标。连续掩模上的图案可以对准或叠加在同一晶片上预先定义的图案上。产量是指每小时可以暴露在给定掩模水平下的晶片数量。
绝对无尘室
集成电路制造设备需要洁净室，尤其是在光刻领域。沉积在半导体晶片和光刻掩模上的尘粒可能导致设备缺陷。如图5.2所示，附着在面罩表面的空气中的粒子图案可以是不透明的，然后转移到电路模式，导致不良后果。比如图5.2中的粒子1可能造成底层针孔，粒子2造成的收缩电流可能在金属流道中流动，而粒子3可能造成短路，使电路失效。
审计唐子红
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